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2N7002DW	文件：3.88809 Mbytes Page：5 Pages	SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs DualN-channelMOSFET FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2N7002DW	文件：1.46294 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-channel MOSFET DualN-channelMOSFET FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N7002DW	文件：2.10736 Mbytes Page：4 Pages	Marking：K72；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate MOSFETs DualN-channelMOSFET FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2N7002DW	文件：264.79 Kbytes Page：6 Pages	Marking：2N；Package：SC70-6；Field Effect Transistor - N-Channel, Enhancement Mode Features •DualN−ChannelMOSFET •LowOn−Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra−SmallSurfaceMountPackage •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002DW	文件：1.169 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET Features HighdensitycelldesignforLowRDS（on） Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability ESDprotected LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter Applications	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
2N7002DW	文件：258.86 Kbytes Page：6 Pages	Marking：2N；Package：SOT-363；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002DW	文件：283.76 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •DualN-channel •Enhancementmode •Logiclevel •Avalancherated •Fastswitching •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
2N7002DW	文件：142.59 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET SmallSignalMOSFET115mAmps,60Volts N–ChannelSOT–363	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002DW1T1	文件：314.52 Kbytes Page：4 Pages	115 mAmps,60 Volts N–ChannelSOT-363 •WedeclarethatthematerialofproductareHalogenFreeand compliancewithRoHSrequirements. •ESDProtected:1000V •Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
2N7002DW-7	文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •AvailableinLeadFree/RoHSCompliantVersion(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
2N7002D
功能描述：
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	2N7002D		23+	SC70-6	8890	价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询	询价
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