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2N7002DWT/R13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

2N7002DWT/R7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

2N7002DWTSLASHR13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

2N7002DWTSLASHR7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

2N7002DW-7-F-79

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET 2N-CH 60V SOT-363

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

2N7002DW-7-G

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET 2N-CH 60V SOT-363

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

2N7002DWKX-13

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET 2N-CH 60V SOT-363

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

详细参数

  • 型号:

    2N7002D

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-363
60000
原装正品,假一罚十
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2020+
SOT-363
62945
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多2N7002D供应商 更新时间2025-7-25 16:12:00