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2N7002	文件：297.43 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Features HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
2N7002	文件：1.42612 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ●TrenchPowerMVMOSFETtechnology ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●LowinputCapacitance ●FastSwitchingSpeed ●LowInput/OutputLeakage Applications ●Batteryoperatedsystems ●Solid-staterelays ●Directlogic-levelinterface：TTL/CMOS	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
2N7002	文件：855.83 Kbytes Page：13 Pages	丝印：12；Package：SOT23；60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Suitableforlogiclevelgatedrive sources Veryfastswitching Surface-mountedpackage TrenchMOSFETtechnology 1.3Appl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002	文件：529.58 Kbytes Page：7 Pages	丝印：7002；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=0.115A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2N7002	文件：531.93 Kbytes Page：7 Pages	丝印：7002；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=0.115A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2N7002	文件：372.34 Kbytes Page：13 Pages	丝印：702；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description TheseN−channelenhancementmodefieldeffecttransistorsare producedusingonsemi’sproprietary,highcelldensity,DMOS technology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon−state resistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitching performance.Theseproducts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002	文件：1.24227 Mbytes Page：5 Pages	丝印：7002；Package：SOT-23；MOSFET FEATURE HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
2N7002	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET ⦁LowOn-Resistance:2.5Ω ⦁LowThreshold:2.1V ⦁LowInputCapacitance:22pF ⦁FastSwitchingSpeed:7ns ⦁LowInputandOutputLeakage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
2N7002	文件：981.58 Kbytes Page：3 Pages	丝印：7002；Package：SOT23；60V N-Channel Mosfet Application ®Dictlogi-fevlinterface:TTLICMOS ®Drivers:relays,solenoids,lamps,hammers,display, memories,ransistors,tc. ®Batteryoperatedsystems ®Soicstaterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002	文件：153.75 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature ●60V/0.5A,RDS(ON)=7500mΩ(MAX)@VGS=10V.Id=0.5A RDS(ON)=7500mΩ(MAX)@VGS=4.5V.Id=0.2A ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOT-23forSurfaceMountPackage. Applications ●PowerManagementinDesktopC	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.115
PD Max (W)：
0.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市锦达世纪科技有限公司	2N7002	恩XP	15+	SOT23	30000	全新原装	询价
标准国际(香港)有限公司	2N7002		2015+		50	公司现货库存	询价
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	2N7002		2015+		50	公司现货库存	询价
深圳市益中天科技发展有限公司	2N7002	ON	17+18+	SOT23	488459	原厂原装,本地现货库存,假一罚十!	询价
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深圳市联世界科技有限公司	2N7002	恩XP	24+/25+	SOT236	99000	100%原装正品真实库存,支持实单	询价
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深圳市华高宇电子有限公司	2N7002	恩XP	1118	SOT236	340	现货库存,有单来谈	询价
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更多2N7002供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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