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2N7002	文件：2.50871 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET N -Channel MOSFET Features ● MOSFET (N-Channel) ● High density cell design for low RDS(ON) ● Voltage controlled small signal switch ● Rugged and reliable ● High saturation current capability Applications ● Load Switch for Portable Devices ● DC/DC Converter 文件：2.50871 Mbytes 页数：5 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
2N7002	文件：2.80796 Mbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS VOLTAGE 60Volts CURRENT 0.115 Ampers FEATURES SOT-23 Field Effect Transistors 文件：2.80796 Mbytes 页数：4 Pages	NIUHANG 纽航电子	NIUHANG
2N7002	文件：913.48 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23 • Pb−Free Package is Available. : Halogen Free • AEC-Q101 Pass 文件：913.48 Kbytes 页数：4 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
2N7002	文件：743.65 Kbytes Page：4 Pages	丝印：7002；Package：SOT-23；SOT- 23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE * High density cell design for low RDS(ON) * Voltage controlled small signal switch * Rugged and reliable * High saturation current capability 文件：743.65 Kbytes 页数：4 Pages	UMW 友台半导体	UMW
2N7002	文件：981.58 Kbytes Page：3 Pages	丝印：7002；Package：SOT23；60V N-Channel Mosfet Application ® Dict logi-fevl interface: TTLICMOS ® Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, display, memories, ransistors, tc. ® Battery operated systems ® Soicstate relays 文件：981.58 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002	文件：1.42612 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS 文件：1.42612 Mbytes 页数：5 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
2N7002	文件：297.43 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Features High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch Rugged and reliable High saturation current capability 文件：297.43 Kbytes 页数：3 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
2N7002	文件：111.93 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PD : 0.35W (Tamb=25℃) Drain current ID: 250mA Drain-Source voltage VDS: 60V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：111.93 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2N7002	文件：159.05 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET 文件：159.05 Kbytes 页数：1 Pages	MENGCO 盟科	MENGCO
2N7002	文件：660.68 Kbytes Page：2 Pages	丝印：7002；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：660.68 Kbytes 页数：2 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.115
PD Max (W)：
0.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
SOT-23-3

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更多2N7002供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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