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2N7002	文件：1.20175 Mbytes Page：5 Pages	丝印：F2；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary ●VDS60V ●ID340mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002	文件：1.49074 Mbytes Page：2 Pages	Voltage controlled small signal switch MOSFET(N-Channel) FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N7002	文件：116.2 Kbytes Page：7 Pages	丝印：702；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description TheseN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanbeused	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002	文件：382.64 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets N-ChannelMOSFET FEATURES HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2N7002	文件：486.19 Kbytes Page：2 Pages	MOSFET (N-Channel) FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N7002	文件：91.32 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance:RDS(ON) •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage MechanicalData •Case:SOT-23,MoldedPlastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 •TerminalConnections:SeeDiagram •Marking:K	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
2N7002	文件：2.80796 Mbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS VOLTAGE60VoltsCURRENT0.115Ampers FEATURES SOT-23FieldEffectTransistors	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG
2N7002	文件：825.43 Kbytes Page：2 Pages	Mosfet (N-Channel) Features ◇HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ◇Voltagecontrolledsmallsignalswitch ◇Ruggedandreliable ◇Highsaturationcurrentcapability	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2N7002	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
2N7002	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET; • Suitable for logic level gate drive sources\n• Very fast switching\n• Surface-mounted package\n• Trench MOSFET technology\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.115
PD Max (W)：
0.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市锦达世纪科技有限公司	2N7002	恩XP	15+	SOT23	30000	全新原装	询价
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更多2N7002供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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