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2N7002H	文件：444.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • Motor Control • Power Management Functions Features and Benefits • N-Channel 文件：444.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002H	文件：283.29 Kbytes Page：15 Pages	丝印：M9；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • AEC-Q101 quali 文件：283.29 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002H-13	文件：444.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • Motor Control • Power Management Functions Features and Benefits • N-Channel 文件：444.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002H6327XTSA2	文件：287.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor OptiMOS Small-Signal-Transistor Features • N-channel • Enhancement mode • Logic level • Avalanche rated • fast switching • Pb-free lead-plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：287.45 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2N7002H-7	文件：444.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • Motor Control • Power Management Functions Features and Benefits • N-Channel 文件：444.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002-HF	文件：122.63 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET Features -Power dissipation : 0.35W 文件：122.63 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
2N7002HM-HF	文件：482.07 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET Features - Drive circuits can be simple. - Low on-resistance. - ESD protected gate up to 2KV HBM. - High-speed switching. - Parallel use is easy. 文件：482.07 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
2N7002HR	文件：4.22892 Mbytes Page：3 Pages	60V N-Channel Mosfet Application @® Direct logic-level interface: TTLUCMOS @® Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, display, memories, transistors, etc. @® Battery operated systems @® Solid-state relays 文件：4.22892 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002HS	文件：294.8 Kbytes Page：15 Pages	丝印：C7；Package：TSSOP6；60 V, dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technolog 文件：294.8 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002HSX-TP	文件：979.62 Kbytes Page：3 Pages	60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features © Fast switching \| ® Green Device Available ® Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：979.62 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.115
PD Max (W)：
0.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市锦达世纪科技有限公司	2N7002	恩XP	15+	SOT23	30000	全新原装	询价
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更多2N7002供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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