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LN2322EDT2AG	文件：659.22 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2ED；Package：DFN2020-6S；N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection 文件：659.22 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2322LT1G	文件：564.75 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2ED；Package：SOT23(TO-236)；N-Channel 20V (D-S) MOSFET Low Gate Threshold Voltage 文件：564.75 Kbytes 页数：3 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2322LT3G	文件：564.75 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2ED；Package：SOT23(TO-236)；N-Channel 20V (D-S) MOSFET Low Gate Threshold Voltage 文件：564.75 Kbytes 页数：3 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
2ED1321S12M	文件：1.28519 Mbytes Page：35 Pages	1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns 文件：1.28519 Mbytes 页数：35 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED1321S12M	文件：1.10102 Mbytes Page：34 Pages	1200 V half-bridge gate driver with Active Miller Clamp and Short Circuit Clamp Features  Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation  Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V  Operating voltages (VS node) upto + 1200 V  Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetitive 700 文件：1.10102 Mbytes 页数：34 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED1321S12MXUMA1	文件：1.28519 Mbytes Page：35 Pages	1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns 文件：1.28519 Mbytes 页数：35 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED1322S12M	文件：1.28519 Mbytes Page：35 Pages	1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns 文件：1.28519 Mbytes 页数：35 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED1322S12M	文件：1.10102 Mbytes Page：34 Pages	1200 V half-bridge gate driver with Active Miller Clamp and Short Circuit Clamp Features  Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation  Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V  Operating voltages (VS node) upto + 1200 V  Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetitive 700 文件：1.10102 Mbytes 页数：34 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED1322S12MXUMA1	文件：1.28519 Mbytes Page：35 Pages	1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns 文件：1.28519 Mbytes 页数：35 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED1323S12P	文件：1.28519 Mbytes Page：35 Pages	1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns 文件：1.28519 Mbytes 页数：35 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDSS (V)：
20
VGS(V)：
12
ID (A) @TA：
8
VGSth Min (V)：
0.4
VGSth Max (V)：
1
td(on) (ns)：
250
td(off) (ns)：
3950
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
22
VGS/IDS (V)/(A)：
4.5/4
Package：
DFN2020-6S
Polarity：
N-Channel(with ESD)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	LN2322EDT2AG	TI/德州仪器	25+	DFN2x2	20300	TI/德州仪器原装特价LN2322EDT2AG即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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