1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP

Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns

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1200 V half-bridge gate driver with Active Miller Clamp and Short Circuit Clamp

Features  Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation  Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V  Operating voltages (VS node) upto + 1200 V  Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetitive 700

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1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP

Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns

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集成自举二极管和 OCP 的 1200 V 高电流半桥栅极驱动器 IC

EiceDRIVER ™ 1200 V 半桥栅极驱动器 IC，具有典型的 2.3 A 拉电流、4.6 A 灌电流和交叉传导预防功能，采用 DSO-16 (300mils) 封装，适用于 1200 V SiC MOSFET 和 IGBT 功率器件。2ED1322S12M 基于我们的 SOI 技术，该技术具有出色的坚固性和抗 VS 引脚上负瞬态电压的抗噪能力。由于该器件没有寄生晶闸管结构，因此该设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有非常强的抵抗力。 • 用于引导操作的浮动通道。\n• 最大。靴子。伏特。（VB 节点）+1225 V\n• 工作电压 < + 1200 V\n• 负 VS 瞬态电压。免疫力\n• 2.3A/4.6 A 峰值输出源/接收器\n• 集成过流保护\n• ± 5% 高精度。参考阈值\n• 小于 1 us 过流感应\n• 积分。超快速自举二极管\n• 死区时间和直通预防。\n• 逻辑操作< -8 V（VS 引脚上）;

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