丝印：2Cs；Package：SOT-23；NPN Silicon AF Transistors

• For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC856...-BC860...(PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101

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Infineon

英飞凌

丝印：2Cs；Package：SOT-323；NPN Silicon AF Transistors

NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP)

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Infineon

英飞凌

丝印：2CS；Package：SOD-323；VERY LOW CAPACITANCE ESD PROTECTION

Features  IEC61000-4-2(ESD): ± 15 kV Air, ± 8 kV Contact Compliance with the capability up to ± 30 kV  IEC61000-4-4(EFT): 40 A (5/50 ns)  IEC61000-4-5(Lightning): 3.5 A (8/20 uS)  Low clamping voltage  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 st

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PANJIT

強茂

丝印：2Cs；Package：SOT-23；NPN Silicon AF Transistors

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Infineon

英飞凌

丝印：2Cs；Package：SOT-323；NPN Silicon AF Transistors

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Infineon

英飞凌

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HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

Bases en acier doux et en acier inoxydable de types 4 et 4X

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HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

Bases en acier doux et en acier inoxydable de types 4 et 4X

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Bases en acier doux et en acier inoxydable de types 4 et 4X

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