BC849C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	BC849C
参数属性	BC849C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
功能描述	NPN Silicon AF Transistors TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
丝印标识	2Cs
封装外壳	SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	216.64 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-29 23:51:00
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BC849C规格书详情

BC849C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BC849C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

• For AF input stages and driver applications

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Low noise between 30 Hz and 15 kHz

• Complementary types:

BC856...-BC860...(PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101

产品属性

产品编号：
BC849CE6327HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

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