| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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5年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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3年
留言
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最新 |
2315 |
26+ |
原装正品 |
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1年
留言
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NEXPERIA |
14262 |
26+ |
原装进口,实单必成 所有型号都有 |
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5年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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6年
留言
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PHISOT-323 |
60900 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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7年
留言
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NEXPERIA/安世原厂原封可拆样 |
65258 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 |
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13年
留言
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恩XPSOT-323 |
111000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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10年
留言
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PHISOT-323 |
3000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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10年
留言
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SOT-323NA |
15659 |
25+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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14年
留言
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PHISOT-323 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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11年
留言
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PHISOT323 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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2年
留言
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PHISOT323 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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17年
留言
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恩XPSOT-323 |
24200 |
24+ |
新进库存/原装 |
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4年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
留言
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PHISOT-323 |
60900 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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19年
留言
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恩XPSOT-323 |
3015 |
20+ |
全新 发货1-2天 |
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12年
留言
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PHISOT323 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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18年
留言
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PHI原厂原装 |
50051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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13年
留言
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PHISOT-323 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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1年
留言
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PHISOT-323 |
60900 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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BC849BW图片
BC849BW,115价格
BC849BW,115价格:¥0.1237品牌:恩XP
生产厂家品牌为恩XP的BC849BW,115多少钱,想知道BC849BW,115价格是多少?参考价:¥0.1237。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BC849BW,115批发价格及采购报价,BC849BW,115销售排行榜及行情走势,BC849BW,115报价。
BC849BW中文资料Alldatasheet PDF
更多BC849BW /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC849BW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC849BW T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC849BW,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC849BW,135功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2























