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NTMFS2D1N08XT1G

丝印:2D1N08;Package:DFN5;Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 1.9 m, 201 A

Features • Low QRR, Soft Recovery Body Diode • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Synchronous Rectification (SR) in DC−DC and AC−DC • Primary

文件:239.08 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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更多2D1N08供应商 更新时间2026-10-26 21:30:00