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BC849CW分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BC849CW
厂商型号

BC849CW

参数属性

BC849CW 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323

功能描述

NPN Silicon AF Transistors
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323

丝印标识

2Cs

封装外壳

SOT-323 / SC-70,SOT-323

文件大小

229.84 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 12:00:00

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BC849CW规格书详情

BC849CW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BC849CW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

NPN Silicon AF Transistors

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BC849CWE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323

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