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NVMFWS2D3N04XMT1G

Marking:2D3N4W;Package:DFN5;MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 2.35 m, 121 A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •MotorDrive •B

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更多2D3N4W供应商 更新时间2025-5-22 9:50:00