PSMN2R2-40YSD芯片丝印丝印对应型号-114ic电子网

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PSMN2R2-40YSD	文件：309.41 Kbytes Page：13 Pages	丝印：2D2S40Y；Package：SOT669；N-channel 40 V, 2.2 mΩ, 180 A standard level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technology 1. General description 180 A, standard level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications. 2. Features and benefits • 180 文件：309.41 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多2D2S40Y供应商更新时间2025-9-21 14:14:00