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SPB20N60C3	文件：788.12 Kbytes Page：12 Pages	丝印：20N60C3；Package：TO-263-3；Cool MOS Power Transistor 文件：788.12 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPP20N60C3	文件：1.83839 Mbytes Page：15 Pages	丝印：20N60C3；Package：TO-220-3-1；New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge 文件：1.83839 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPW20N60C3	文件：771.02 Kbytes Page：13 Pages	丝印：20N60C3；Package：PG-TO247；Cool MOS Power Transistor 文件：771.02 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SSD20N06	文件：354.27 Kbytes Page：4 Pages	丝印：20N06；Package：TO-252；N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：354.27 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSD20N15	文件：672.09 Kbytes Page：5 Pages	丝印：20N15；Package：TO-252；N-Channel Enhancement MOSFET 文件：672.09 Kbytes 页数：5 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SVF20N50PN	文件：658.83 Kbytes Page：8 Pages	丝印：20N50；Package：TO-3P；20A, 500V N-CHANNEL MOSFET 文件：658.83 Kbytes 页数：8 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
YFW20N50A6	文件：888.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：20N50AP；Package：TO-247；20A 500V N-channel enhanced field effect transistor 文件：888.77 Kbytes 页数：6 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
YFW20N50A7	文件：888.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：20N50APS；Package：TO-247S；20A 500V N-channel enhanced field effect transistor 文件：888.77 Kbytes 页数：6 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
YFW20N50A8	文件：888.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：20N50AF；Package：TO-220F(1.3mm)；20A 500V N-channel enhanced field effect transistor 文件：888.77 Kbytes 页数：6 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
YFW20N60A6	文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	丝印：20N60AP；Package：TO-247；20A 600V N-channel enhanced field effect transistor 文件：833.85 Kbytes 页数：6 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

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详细参数

型号：
20N
功能描述：
射频放大器 LNA W/BYPASS SWITCH
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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