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MBD330DWT1G

丝印:T4;Package:SOT-363;Dual Schottky Barrier Diodes

Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and into smaller packages. The new SOT−363 package is a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete devices in one small six−leaded package. The S

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ONSEMI

安森美半导体

MBD330DWT1G

Dual Schottky Barrier Diodes

文件:64.3 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBD330DWT1G

Dual Schottky Barrier Diodes

文件:155.73 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBD330DWT1G

Dual Schottky Barrier Diodes

文件:112.01 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBD330DWT1G

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装:托盘 类别:分立半导体产品 二极管 - 射频 描述:RF DIODE SCHOTTKY 30V 120MW SC88

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MBD330DWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    肖特基 - 2 个独立式

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1.5pF @ 15V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 30V 120MW SC88

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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SOT363
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更多MBD330DWT1G供应商 更新时间2025-10-13 16:36:00