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MBD770DWT1G	文件：93.61 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes Applicationcircuitdesignsaremovingtowardtheconsolidationofdevicecountandintosmallerpackages.ThenewSOT−363packageisasolutionwhichsimplifiescircuitdesign,reducesdevicecount,andreducesboardspacebyputtingtwodiscretedevicesinonesmallsix−leadedpackage.TheSOT−3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBD770DWT1G	文件：64.3 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBD770DWT1G	文件：52.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBD770DWT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBD770DWT1G_16	文件：52.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBD770DWT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基 - 2 个独立式
电压 - 峰值反向（最大值）：
70V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 20V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88

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更多MBD770DWT1G供应商更新时间2025-5-29 17:32:00

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