首页>MBD770DWT1G>规格书详情
MBD770DWT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MBD770DWT1G |
参数属性 | MBD770DWT1G 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88 |
功能描述 | Dual Schottky Barrier Diodes |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
112.01 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-12 10:16:00 |
人工找货 | MBD770DWT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MBD770DWT1G规格书详情
MBD770DWT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体制造生产的MBD770DWT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
更多- 产品编号:
MBD770DWT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
肖特基 - 2 个独立式
- 电压 - 峰值反向(最大值):
70V
- 不同 Vr、F 时电容:
1pF @ 20V,1MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SC-88/SC70-6/SOT-363
- 描述:
RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
23+ |
SC88-6/SOT363 |
2308 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
3000 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
询价 | |||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装,正品 |
询价 |