首页>MBD770DWT1G>规格书详情

MBD770DWT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

MBD770DWT1G
厂商型号

MBD770DWT1G

参数属性

MBD770DWT1G 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88

功能描述

Dual Schottky Barrier Diodes
RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

112.01 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-5-26 13:01:00

人工找货

MBD770DWT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MBD770DWT1G规格书详情

MBD770DWT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体公司制造生产的MBD770DWT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MBD770DWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基 - 2 个独立式

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    70V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 20V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
SOT-363
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
ON/安森美
22+
SOT363
40364
原装正品现货
询价
onsemi
24+
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
30000
二极管-分立半导体产品-原装正品
询价
ON/安森美
23+
SOT-363
50000
原装正品 支持实单
询价
ON-SEMI
06+30
39000
公司优势库存 热卖中!
询价
ON/安森美
24+
SOT-363
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
安森美
21+
SOT363
12588
原装现货,量大可定
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价