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MBD770DWT1分立半导体产品二极管-射频规格书PDF中文资料

MBD770DWT1
厂商型号

MBD770DWT1

参数属性

MBD770DWT1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88

功能描述

Dual Schottky Barrier Diodes
RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88

文件大小

69.62 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 18:28:00

MBD770DWT1规格书详情

Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and into smaller packages. The new SOT−363 package is a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete devices in one small six−leaded package. The SOT−363 is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium, such as portable products.

The MBD110DW, MBD330DW, and MBD770DW devices are spin−offs of our popular MMBD101LT1, MMBD301LT1, and MMBD701LT1 SOT−23 devices. They are designed for high−efficiency UHF and VHF detector applications. Readily available to many other fast switching RF and digital applications.

Features

• Extremely Low Minority Carrier Lifetime

• Very Low Capacitance

• Low Reverse Leakage

• Pb−Free Packages are Available

MBD770DWT1属于分立半导体产品 > 二极管 - 射频。安森美半导体公司制造生产的MBD770DWT1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

产品属性

  • 产品编号:

    MBD770DWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基 - 2 个独立式

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    70V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 20V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
/ROHS.original
NA
10501
射频元件二极管-正纳电子/ 原材料及元器件
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