平面高压MOS功率管

SVF20N50F/PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 20A，500V，RDS(on)(典型值)=0.20Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

丝印：20N50；Package：TO-3P；20A, 500V N-CHANNEL MOSFET

文件：658.83 Kbytes 页数：8 Pages

SILAN

士兰微

N-channel Power MOSFET

文件：711.55 Kbytes 页数：7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

N-channel MOSFET

Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification

文件：881.62 Kbytes 页数：5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

N-channel TO-3P MOSFET

文件：629.6 Kbytes 页数：5 Pages

SEMIPOWER

芯派科技