丝印：20N06TFYWCP；Package：TO-252；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

General Features ● VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

文件：3.83297 Mbytes 页数：6 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

丝印：20N025S；Package：TDSON-8；OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件：354.11 Kbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印：20N60；Package：TO-220F-3L；N-Channel Power MOSFET

文件：530.17 Kbytes 页数：6 Pages

E-CMOS

飞虹高科

丝印：20N135SRA；Package：TO-247；Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

文件：649.83 Kbytes 页数：10 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：20N03L；Package：TO-252-3-1；OptiMOS Buck converter series Feature Ideal for fast switching buck converters

文件：9.34933 Mbytes 页数：9 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印：20N60A4；Package：TO-263AB；600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

文件：908.79 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：20N03；Package：SOP-8；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：311.77 Kbytes 页数：9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

丝印：20N06C；Package：SO-8FL；MOSFET- Power, Single N-Channel, SO8FL 60 V, 19.6 m, 28 A

文件：185.91 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：20N60；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：325.79 Kbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丽正国际

丝印：20N60C3；Package：TO-263-3；Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology

文件：1.06347 Mbytes 页数：13 Pages

INFINEON

英飞凌