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1N5819CSM4	文件：117 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER DIODE SCHOTTKYRECTIFIERDIODE •HermeticCeramicSurfaceMountPackage(MO-041BA) •VRRM=40V,IF=1.0A •SpaceLevelandHigh-ReliabilityScreeningOptionsAvailable	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
1N5819-E	文件：182.91 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 40V Forward Current 1.0A Feature&Dimensions PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardingforovervoltageprotection *Hightempera	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5819G	文件：116.38 Kbytes Page：3 Pages	1 Amp Schottky Rectifier 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819G	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	Axial Lead Rectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819G	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	Axial Lead Rectifiers SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 1.0 AMPERE 20, 30 and 40 VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819H	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5819HW	文件：61.61 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SL；Package：SOD-123；1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DescriptionandApplications ThedeviceisasinglerectifierofferinglowVFandexcellenthightemperaturestability.Thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplications: •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters •FreeWheeling •PolarityProtectionApplication Feat	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819HW	文件：103.31 Kbytes Page：4 Pages	Marking：SL；Package：SOD-123；1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead,Hal	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819HW	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0A SURFACE-MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819HW_10	文件：103.31 Kbytes Page：4 Pages	1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead,Hal	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
1N5819
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
55pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	1N5819	0N	13+	标准	5000	公司原装现货	询价
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