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1N5819	文件：122.94 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N5819	文件：23.99 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1N5819	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
1N5819	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO041，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SMALL-SIGNAL SCHOTTKY	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5819	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819_08	文件：79.79 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Rectifier, 1.0 A DESCRIPTION The1N5819axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleadedoutline	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5819-1	文件：434.94 Kbytes Page：6 Pages	1 Amp Schottky Barrier Rectifiers DESCRIPTION This1AmpSchottkybarrierrectifierismetallurgicallybondedandoffersmilitarygradequalificationsforthepartnumbersof1N5819-1and1N6761-1forhigh-reliabilityapplications.ThissmalldiodeishermeticallysealedandbondedintoaDO-41glasspackage. FEATURES •JEDEC	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819A-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5819B-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5819-CA2-R	文件：88.24 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES Schottkybarrierchip Lowpowerloss,highefficiency. Lowforwardvoltagedrop. Highsurgecurrentcapability. *Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling diode,andpolarityprotectionapplications.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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产品属性

产品编号：
1N5819
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
55pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5819供应商更新时间2025-6-25 16:20:00

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