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AC618	文件：175.85 Kbytes Page：2 Pages	10TO600MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
AE618	文件：202.07 Kbytes Page：3 Pages	E-pHEMTMMIC	RFHIC rfhic	RFHIC
AN618	文件：60.68 Kbytes Page：6 Pages	RecordingandplayingamplifierICforansweringtelephones ■Features •Incorporatesrecordingandplayingamplifiers. •Incorporatesaloudspeakeramplifier. •IncorporatesaVOXcircuit. •Incorporatesamagnetic-headcircuittoprovideforone-tape cassetterecording. •Incorporates4controlcircuits.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ANA618	文件：131.96 Kbytes Page：4 Pages	Solarlawnlightcontroller Features: 1.Veryfewperipheralcomponents,onlyoneinductorisneeded,easytoproduce 2.Highefficiency:85~90%(typicalvalue),canmakefulluseofsolarcellstoadjustcurrentthroughinductance, Simpleandconvenient,stablecurrent,goodconsistency,inputcurrentisnotaffected	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BA618	文件：74.44 Kbytes Page：4 Pages	LEDdriver LEDdriver TheBA618isanICdevelopedfordriving7-segmentLEDdisplays,andcontainssevenpositivelogiccircuits.InputandoutputaredirectedinthesamedirectionbyDIPPin16,withthelayoutoptimizedtofacilitatemounting.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BC618	文件：71.36 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC618	文件：142.29 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrent) NPNSiliconDarlingtonTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC618	文件：44.22 Kbytes Page：7 Pages	NPNDarlingtontransistor DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.55V) •HighDCcurrentgain. APPLICATIONS •Generalpurposelowfrequency •Relaydrivers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC618	文件：208.98 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistors DarlingtonTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC618	文件：150.04 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistors(NPNSilicon) DarlingtonTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
ZXTD618MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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