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VND830PEP-E	文件：329.18 Kbytes Page：25 Pages	Double channel high side driver 文件：329.18 Kbytes 页数：25 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND830SP	文件：266.39 Kbytes Page：18 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER DESCRIPTION The VND830SP is a monolithic device made by using STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for driving any kind of load with one side connected to ground. Active VCC pin voltage clamp protects the device against low energy spikes (see ISO7637 transient compatibility table 文件：266.39 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND830SP-E	文件：197.86 Kbytes Page：20 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER Description The VND830SP-E is a monolithic device made by using STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 technology, intended for driving any kind of load with one side connected to ground. Active VCC pin voltage clamp protects the device against low energy spikes (see ISO7637 transient compatibility t 文件：197.86 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNQ830	文件：308.59 Kbytes Page：20 Pages	QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER Description The VNQ830 is a quad HSD formed by assembling two VND830 chips in the same SO-28 package. The VND830 is a monolithic device made using\| STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 Technology. The device is intended for driving any type of multiple load with one side connected to ground. Featur 文件：308.59 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
VND830PEP
功能描述：
功率驱动器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
MOSFET Gate Drivers
类型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大：
30 V
电源电压-最小：
2.75 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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