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VNN3NV04	文件：418.58 Kbytes Page：21 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit 文件：418.58 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04	文件：359.9 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po 文件：359.9 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：493.65 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04_V01	文件：359.9 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po 文件：359.9 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV0413TR	文件：359.9 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po 文件：359.9 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04_09	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：493.65 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV0413TR	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：493.65 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04P-E	文件：287.49 Kbytes Page：22 Pages	fully autoprotected Power MOSFET 文件：287.49 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04PTR-E	文件：284.38 Kbytes Page：22 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：284.38 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04TR-E	文件：469.7 Kbytes Page：26 Pages	fully autoprotected Power MOSFET 文件：469.7 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Technology：
M0-3
RDS(on)_typ(mΩ)：
120
General Description：
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Marketing Status：
Active
Package：
SO-8
RoHS Compliance Grade：
Ecopack2
Clamp Voltage_typ(V)：
45
Drain Current Limit_typ(A)：
5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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