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VNN3NV0413TR	文件：359.9 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po 文件：359.9 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV0413TR	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：493.65 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN3NV0413TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
VNN3NV0413TR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
120 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-223
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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