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VNP7N04-E

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件:372.93 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP7N04FI

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip

文件:146.49 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

PJW7N04

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@5A

文件:443.63 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

PJW7N04-AU

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@5A

文件:371.69 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

VND7N04

OMNIFETFully autoprotected power MOSFET

文件:511.85 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    VNP7N04-E

  • 功能描述:

    电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 7A OmniFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    Exar

  • 输出端数量:

    1

  • 开启电阻(最大值):

    85 mOhms

  • 开启时间(最大值):

    400 us

  • 关闭时间(最大值):

    20 us

  • 工作电源电压:

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOT-23-5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO220ABNONISOL
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更多VNP7N04-E供应商 更新时间2025-12-10 10:21:00