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PJW7N04-AU	文件：371.69 Kbytes Page：6 Pages	40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@5A 文件：371.69 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW7N04-AU_R2_000A1	文件：371.69 Kbytes Page：6 Pages	丝印：W7N04；Package：SOT-223；40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@5A 文件：371.69 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW7N04-AU	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Panjit 強茂	Panjit
VND7N04	文件：146.49 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip 文件：146.49 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND7N04	文件：511.85 Kbytes Page：17 Pages	OMNIFETFully autoprotected power MOSFET 文件：511.85 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND7N04	文件：602.24 Kbytes Page：18 Pages	Fully autoprotected power MOSFET Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip 文件：602.24 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

AEC-Q101 Qualified：
Y
ESD：
Y
Polarity：
N
Config.：
Single
VDS[V]：
40
VGS[±V]：
20
ID[A]：
6.5
RDS(on) Max. (mΩ)[10V]：
42
RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]：
51
Ciss Typ.[pF]：
410
VGS(th) Max.[V]：
2.5
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
4.8
Package：
SOT-223

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更多PJW7N04-AU供应商更新时间2025-10-12 14:00:00

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