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VNN1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04	文件：406.97 Kbytes Page：33 Pages	fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV0413TR	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04P-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04TR	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04TR-E	文件：546.08 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV0413TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04PTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND1NV04	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VND1NV04-E	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VNS1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04D	文件：244.38 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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详细参数

型号：
VNN1NV04
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
PWR SWIT LO SIDE 1.7A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司	VNN1NV04	STM		SOT223	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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更多VNN1NV04供应商更新时间2024-4-19 14:00:00

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