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UPA804	文件：66.21 Kbytes Page：16 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA804TChasbuilt-intwotransistorswhichweredevelopedforUHF. FEATURES •HighfT:fT=5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuperminimoldpackage •Built-in2transistors(2×2SC5004)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA804T	文件：52.65 Kbytes Page：8 Pages	SILICON TRANSISTOR The2SC4571hasbuilt-in2transistorswhichweredevelopedforUHF. FEATURES •HighfT fT=5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.9pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f=1MHz) •AsurfaceMountingPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2S	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA804T	文件：271.09 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2ELEMENTS)MINIMOLD FEATURES •HighfT fT=5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.9pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f=1MHz) •AsurfaceMountingPackageAdopted •Built-in2Transistors(2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA804TC	文件：66.21 Kbytes Page：16 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA804TChasbuilt-intwotransistorswhichweredevelopedforUHF. FEATURES •HighfT:fT=5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuperminimoldpackage •Built-in2transistors(2×2SC5004)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA804TC-T1	文件：66.21 Kbytes Page：16 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA804TChasbuilt-intwotransistorswhichweredevelopedforUHF. FEATURES •HighfT:fT=5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuperminimoldpackage •Built-in2transistors(2×2SC5004)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA804T-T1	文件：52.65 Kbytes Page：8 Pages	SILICON TRANSISTOR The2SC4571hasbuilt-in2transistorswhichweredevelopedforUHF. FEATURES •HighfT fT=5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.9pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f=1MHz) •AsurfaceMountingPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2S	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA804T-T1	文件：271.09 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2ELEMENTS)MINIMOLD FEATURES •HighfT fT=5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •SmallCollectorCapacitance Cob=0.9pFTYP.(@VCB=5V,IE=0,f=1MHz) •AsurfaceMountingPackageAdopted •Built-in2Transistors(2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
UPA804
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

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