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UPA809T-T1	文件：66.21 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • A Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors ( 文件：66.21 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA809T-T1	文件：38.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：38.16 Kbytes 页数：5 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA810T-T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC SOT363	NEC 瑞萨上传：深圳市吉利鑫科技发展有限公司	NEC
UPA810T-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOD363	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPB1507GV-E1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SSOP8	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

型号：
UPA809T-T1
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

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