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UN200N72TE	文件：4.84122 Mbytes Page：7 Pages	丝印：KF；Package：SOT-723；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free N-Channel Switch with Low RDS(ON) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.84122 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200N88DE	文件：4.08275 Mbytes Page：7 Pages	丝印：34；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2KV (HBM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.08275 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P26T	文件：3.20198 Mbytes Page：6 Pages	丝印：PD02A；Package：SOT-26；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Trench Technology Supper high density cell design Excellent ON resistance Extremely Low Threshold Voltage Small package SOT-26 Applications DC/DC Converter for Portable Devices Load/Power Switching for portable device 文件：3.20198 Mbytes 页数：6 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P32T	文件：4.19853 Mbytes Page：8 Pages	丝印：TR1；Package：SOT-323；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced trench cell design Low Thermal Resistance Low Gate Charge Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.19853 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P32TE	文件：4.85775 Mbytes Page：7 Pages	丝印：39K；Package：SOT-323；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2KV (HBM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.85775 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P72TE	文件：5.01622 Mbytes Page：7 Pages	丝印：KD；Package：SOT-723；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2KV (HBM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：5.01622 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P88DE	文件：4.91951 Mbytes Page：7 Pages	丝印：39K；Package：DFN1006-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.91951 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN201DN26T	文件：6.19478 Mbytes Page：9 Pages	丝印：8815；Package：SOT-26；Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Uses advanced Trench MOS technology Extremely low on-resistance RDS(ON) Fast Switching Speed Excellent Qg x RDS(ON) (FOM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage Controlled Small Signal Switch Halogen-Free & Lead-Free 文件：6.19478 Mbytes 页数：9 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN201DP26T	文件：5.81348 Mbytes Page：9 Pages	丝印：S1；Package：SOT-26；Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage Controlled Small Signal Switch 文件：5.81348 Mbytes 页数：9 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN201P23T	文件：5.6335 Mbytes Page：9 Pages	丝印：S1；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：5.6335 Mbytes 页数：9 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI

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技术参数

类型：
NMOS
VDS (V)：
20
VGS (V)：
±12
VTH (MIN) (V)：
0.35
VTH (MAX) (V)：
1.1
ID @25°C (A)：
0.63
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
270
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
380
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
320
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UN20供应商更新时间2025-12-1 16:00:00

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