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UN200P32T	文件：4.19853 Mbytes Page：8 Pages	丝印：TR1；Package：SOT-323；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced trench cell design Low Thermal Resistance Low Gate Charge Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.19853 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P32TE	文件：4.85775 Mbytes Page：7 Pages	丝印：39K；Package：SOT-323；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2KV (HBM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.85775 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P32T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P32TE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI

技术参数

类型：
PMOS
VDS (V)：
-20
VGS (V)：
±12
VTH (MIN) (V)：
-0.4
VTH (MAX) (V)：
-1.0
ID @25°C (A)：
-1.2
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
80
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
100
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
105
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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