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VSD550N60HS

MOSFET; 1.较低的导通电阻\n2.超级结技术\n3.无铅电镀;符合 RoHS 标准;无卤素\n;

N沟道增强型高压功率MOSFET采用超级结工艺技术制造,先进的工艺及元胞结构使该产品具有较低导通电阻、Qg以及优越的开关性能,实现更低的导通损耗和开关损耗。该产品可广泛应用于各类开关电源。\n\n

VergigaShenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

威兆半导体深圳市威兆半导体股份有限公司

技术参数

  • BVDSS[V]:

    600.00

  • bVGS[V]:

    30.00

  • vth_min:

    3.00

  • vth_max:

    4.60

  • ID[A]:

    8.00

  • PD[W]:

    57.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V:

    520.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

    0.00

  • Ciss:

    590.00

  • Coss:

    510.00

  • Crss:

    8.00

  • Qg(10V)[nC]:

    13.00

  • Qg(4.5V)[nC]:

    0.00

  • Package:

    TO-252

  • Technology:

    SJ MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO-252-2
986966
国产
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VANGUARD/威兆
2511
TO-252
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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Vergiga Semiconductor
2148
2500
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11+
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35
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23+
SOP24
50000
全新原装正品现货,支持订货
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更多VSD550N60HS供应商 更新时间2025-7-28 14:01:00