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VSD550N60HS规格书详情
描述 Description
N沟道增强型高压功率MOSFET采用超级结工艺技术制造,先进的工艺及元胞结构使该产品具有较低导通电阻、Qg以及优越的开关性能,实现更低的导通损耗和开关损耗。该产品可广泛应用于各类开关电源。
特性 Features
1.较低的导通电阻
2.超级结技术
3.无铅电镀;符合 RoHS 标准;无卤素
技术参数
- 制造商编号
:VSD550N60HS
- 生产厂家
:Vergiga
- ESD
:-
- BVDSS[V]
:600.00
- bVGS[V]
:30.00
- vth_min
:3.00
- vth_max
:4.60
- ID[A]
:8.00
- PD[W]
:57.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
:520.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
:0.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
:0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
:0.00
- Ciss
:590.00
- Coss
:510.00
- Crss
:8.00
- Qg(10V)[nC]
:13.00
- Qg(4.5V)[nC]
:0.00
- Package
:TO-252
- Technology
:SJ MOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD/威兆 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOP |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
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PHI |
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SOP |
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FUJI/富士电机 |
23+ |
DIP |
50000 |
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询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOP24 |
50 |
询价 | |||
PHI |
24+ |
SOP |
37279 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
11+ |
SOP |
35 |
普通 |
询价 | |||
Vergiga Semiconductor |
2148 |
2500 |
自营现货,只做正品 |
询价 |