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UN201DN26T

丝印:8815;Package:SOT-26;Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Uses advanced Trench MOS technology Extremely low on-resistance RDS(ON) Fast Switching Speed Excellent Qg x RDS(ON) (FOM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage Controlled Small Signal Switch Halogen-Free & Lead-Free

文件:6.19478 Mbytes 页数:9 Pages

UNSEMI

优恩半导体

UNMEN05GC1C31AS

UNIGROUP/紫光微
BGA

UNIGROUP/紫光微

上传:深圳市恒佳微电子有限公司

UNIGROUP/紫光微

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更多UN201DN26T供应商 更新时间2025-10-4 14:01:00