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UN201DN26T中文资料优恩半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

UN201DN26T

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

8815

封装外壳

SOT-26

文件大小

6.19478 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

UNSEMI

中文名称

优恩半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 17:09:00

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UN201DN26T规格书详情

特性 Features

Uses advanced Trench MOS technology

Extremely low on-resistance RDS(ON)

Fast Switching Speed

Excellent Qg x RDS(ON) (FOM)

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage Controlled Small Signal Switch

Halogen-Free & Lead-Free

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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