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UN201DN26T中文资料优恩半导体数据手册PDF规格书

UN201DN26T
厂商型号

UN201DN26T

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

8815

封装外壳

SOT-26

文件大小

6.19478 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 UN Semiconducctor INC
企业简称

UNSEMI优恩半导体

中文名称

深圳市优恩半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 17:10:00

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UN201DN26T规格书详情

Features

Uses advanced Trench MOS technology

Extremely low on-resistance RDS(ON)

Fast Switching Speed

Excellent Qg x RDS(ON) (FOM)

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage Controlled Small Signal Switch

Halogen-Free & Lead-Free

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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