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UN200P26T	文件：3.20198 Mbytes Page：6 Pages	丝印：PD02A；Package：SOT-26；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Trench Technology Supper high density cell design Excellent ON resistance Extremely Low Threshold Voltage Small package SOT-26 Applications DC/DC Converter for Portable Devices Load/Power Switching for portable device 文件：3.20198 Mbytes 页数：6 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P26T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UNMEN05GC1C31AS	文件：0 bytes Page：0 Pages	UNIGROUP/紫光微 BGA	UNIGROUP/紫光微上传：深圳市恒佳微电子有限公司	UNIGROUP/紫光微

技术参数

类型：
PMOS
VDS (V)：
-20
VGS (V)：
±12
VTH (MIN) (V)：
-0.5
VTH (MAX) (V)：
-1.0
ID @25°C (A)：
-2.0
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
85
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
120
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
110
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UN200P26T供应商更新时间2025-10-7 14:01:00

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