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UN201DP26T中文资料优恩半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

UN201DP26T

功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

S1

封装外壳

SOT-26

文件大小

5.81348 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

UNSEMI

中文名称

优恩半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-6 23:01:00

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UN201DP26T规格书详情

特性 Features

Advanced Trench Process Technology

Low Threshold Voltage

Fast Switching Speed

Halogen-Free & Lead-Free

Applications

Load Switch for Portable Devices

Voltage Controlled Small Signal Switch

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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