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UN200P88DE	文件：4.91951 Mbytes Page：7 Pages	丝印：39K；Package：DFN1006-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.91951 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200P88DE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UNMEN05GC1C31AS	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	UNIGROUP/紫光微上传：深圳市恒佳微电子有限公司	UNIGROUP/紫光微

技术参数

类型：
PMOS
VDS (V)：
-20
VGS (V)：
±12
VTH (MIN) (V)：
-0.35
VTH (MAX) (V)：
-1.1
ID @25°C (A)：
-0.98
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
370
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
530
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
500
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

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