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UN20	文件：125.92 Kbytes Page：1 Pages	Coupling for Multiple-Disk Clutch 文件：125.92 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
UN2001N012-T20	文件：6.59402 Mbytes Page：9 Pages	丝印：UN2001N；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Fast Switching Low ON-Resistance Low Gate Charge Low Reverse Transfer Capacitances 100 Single Pulse Avalanche Energy Test Applications CRT、TV/Monitor and Lighting 文件：6.59402 Mbytes 页数：9 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200DN26T	文件：4.60241 Mbytes Page：8 Pages	丝印：116；Package：SOT-26；Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Cell Design Low Thermal Resistance Low Gate Charge Applications Motor/Body Load Control Load Switch DC-DC Converters 文件：4.60241 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200DN36TE	文件：4.08714 Mbytes Page：7 Pages	丝印：34K；Package：SOT-363；Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD protected Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.08714 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200DP36TE	文件：4.98179 Mbytes Page：7 Pages	丝印：39K；Package：SOT-363；Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD protected Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.98179 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200N23T	文件：6.72297 Mbytes Page：8 Pages	丝印：S0；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：6.72297 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200N23TE	文件：6.05133 Mbytes Page：8 Pages	丝印：S0K；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2KV (HBM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：6.05133 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200N26TE	文件：4.90176 Mbytes Page：8 Pages	丝印：118；Package：SOT-26；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Advanced Trench Cell Design Low Thermal Resistance Low Gate Charge Applications Motor/Body Load Control Load Switch DC-DC converters 文件：4.90176 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200N32TE	文件：4.84831 Mbytes Page：7 Pages	丝印：34K；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free N-Channel Switch with Low RDS(ON) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.84831 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN200N52TE	文件：4.87879 Mbytes Page：7 Pages	丝印：34K；Package：SOT-523；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free N-Channel Switch with Low RDS(ON) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.87879 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI

技术参数

类型：
NMOS
VDS (V)：
20
VGS (V)：
±12
VTH (MIN) (V)：
0.35
VTH (MAX) (V)：
1.1
ID @25°C (A)：
0.63
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
270
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
380
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
320
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

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更多UN20供应商更新时间2025-12-2 10:21:00

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