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TPS1100DR.A	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1100；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100DR.B	文件：275.67 Kbytes Page：15 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc 文件：275.67 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100PW	文件：155.28 Kbytes Page：10 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：155.28 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1100PW	文件：700.48 Kbytes Page：14 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：700.48 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

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