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TPS1120DR.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
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TPS1120DR.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120Y	文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：180.25 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

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