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TPS1120DRG4	文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：379.72 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
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TPS1H000AQDGNRQ1	文件：0 bytes Page：0 Pages	MSOP8	TI 德州仪器上传：深圳市森泰鸿科技有限公司	TI
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详细参数

型号：
TPS1120DRG4
功能描述：
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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