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TPS1120D	文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS1120D	文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS1120DG4	文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS1120DR	文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS1120DRG4	文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS1120DRG4	文件：1.8865 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPS1120Y	文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS1120YD	文件：180.25 Kbytes Page：12 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TZ1120A	文件：301.81 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.514.31818MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VDA1120CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

详细参数

型号：
TPS1120D
功能描述：
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TPS1120D供应商更新时间2025-5-5 14:14:00

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