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TPS1120D	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
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TPS1120DR.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR.A	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1120DR.B	文件：301.03 Kbytes Page：17 Pages	丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have 文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
TPS1120D
功能描述：
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPS1120D供应商更新时间2025-10-5 13:52:00

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