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TPS1101DRG4	文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TPS1101DRG4	文件：899.06 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
TPS1101DR
功能描述：
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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