| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TI/TEXAS原厂封装 |
8931 |
23+ |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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TI/德州仪器8-SOIC |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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TISOIC-8 |
16000 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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TI8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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TI |
300 |
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深圳中芯器材有限公司11年
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TITube |
375 |
RoHSCompliant |
neworiginal |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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TI8-SOIC |
20000 |
22+ |
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绝对原装现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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TI-德州仪器8-SOIC |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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TI8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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N/ANA |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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TISOP-8 |
1675 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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TISOP-8 |
1675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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TISOP-8 |
4047 |
2022+ |
授权分销商,公司现货库存! |
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TPS1120DG4图片
TPS1120DG4中文资料Alldatasheet PDF
更多TPS1120DG4功能描述:MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
