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TPS1101D	文件：279.47 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1101；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
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TPS1101D	文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101D.A	文件：279.47 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1101；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DR	文件：279.47 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1101；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DR.A	文件：279.47 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1101；Package：SOIC；SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS Low rDS(on) . . . 0.09 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1101 is a single, low-rDS(on), P-c 文件：279.47 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DG4	文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DR	文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DRG4	文件：495.85 Kbytes Page：13 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 文件：495.85 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS1101DRG4	文件：899.06 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 文件：899.06 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
TPS1101D
功能描述：
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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