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TPS1100PWR

丝印:PS1100;Package:TSSOP;SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc

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TPS1100PWR

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TPS1100PWR.A

丝印:PS1100;Package:TSSOP;SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W Typ at VGS = –10 V 3 V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max Available in Ultrathin TSSOP Package (PW) ESD Protection Up to 2 kV Per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1100 is a single P-channel enhanc

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TPS1100PWRG4

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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详细参数

  • 型号:

    TPS1100PWR

  • 功能描述:

    MOSFET NPN Enh Mode

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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